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内存编号大集合

luyued 发布于 2011-03-06 18:36   浏览 N 次  
内存是计算机不可缺少的部件之一,常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。现在我们就详细列出内存编号的各项含义。

(1)HYUNDAI(现代)

现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了,不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格式为:HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s,具体的编号含义可以在现代的网站上找到:






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其中HY代表现海珠区系统安装代的产品:
??5<1>表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);
??<2> 代表工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);
??<345> 代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);
??<67> 代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);
??<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系);
??<9> 代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);
??<10> 代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新)代表功耗(L=低功耗芯片,空白=普通芯片);
??<11.12>代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ);
??<13.14>代表速度(7=7ns[143MHz],8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。另外,以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商,但后来被HY兼并。LGS SDRAM内存芯片编号格式为:GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10>



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其中GM代表LGS的产品;72代表SDRAM;V代表3.3V;<12>代表容量(16=16Mbits,66=64Mbits);<34>表示数据位宽(一般为4、8、16等);<5>代表Bank(2=2个Bank,4=4个Bank);1代表I/O接口:LVTTL;<6>表示内核版本;<7>代表功耗(L=低功耗,空白=普通);<8>代表封装(T=常见的TSOPⅡ封装,I=BLP封装);<9.10>代表速度(7.5=7.5ns[133MHz],8=8ns[125MHz],7K=10ns[PC-100 CL2或3],7J=10ns[100MHz],10K=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=15ns[66MHz])。


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